多（duō）晶矽還原爐內主要（yào）汙（wū）染物及清洗工藝
時間：2016-10-12 15:20:09作者：LeeZhou來源：www.91潔清（qīng）潔設（shè）備
從2010年至今，光（guāng）伏產業呈現出了強勢的複蘇態勢，光（guāng）伏市場需（xū）求旺盛。高純多晶矽是電子工業和太（tài）陽能（néng）光伏產（chǎn）業的基礎原（yuán）料（liào）也是主要（yào）原料，在整（zhěng）個生（shēng）產（chǎn）過程中，對產品質量的控製要（yào）求（qiú）很高。目前，生產多晶矽主（zhǔ）要采用改良西門子法，對還原爐的沉積（jī）環境的潔淨度要求特別關鍵（jiàn），任何顆粒性雜（zá）質、油脂等物質餘留在（zài）爐內，都會對產品（pǐn）質量造成影響。
一（yī）、多（duō）晶矽還原爐（lú）內（nèi）主要（yào）汙（wū）染物
根據多晶矽生產原理及實際生產情況分析，還原爐基盤及鍾（zhōng）罩表麵（miàn）主要汙染物為無定形矽粉，其次為多晶矽顆粒物、氯矽烷水解（jiě）物及部分粉塵雜質。
1、無定形（xíng）矽
還原爐在一個周期運行後，基盤（pán）及（jí）鍾罩表麵均會產生一層土（tǔ）黃色粉末（mò），主要成分為無定形（xíng）矽粉（fěn）。基盤冷卻水溫度偏高，在還原（yuán）爐基盤尾氣出（chū）口也會（huì）產生無定形矽。這些無定形（xíng）矽易形成一層膜附在（zài）基盤和鍾罩內表麵（miàn），甚至在（zài）電極和石英環表（biǎo）麵。
2、氯矽烷水解物
多晶矽打開鍾罩前（qián）要進行嚴格（gé）的氮氣置換，但因還原爐結構複雜，在進料口、尾氣（qì）管、窺視鏡等地方易形成置換死角，置換（huàn）後爐內仍會預留部分氯矽烷氣體。當（dāng）爐筒提起（qǐ）後，氯矽（guī）烷殘留氣體與（yǔ）空氣接觸，會在基盤及爐筒表麵形成水解物。這些水（shuǐ）解物一般（bān）附著在進料管口及尾氣管口，其（qí）中矽酸鹽（yán）物質為白色膠狀（zhuàng）沉澱，二氧化矽為（wéi）白色粉末（mò）狀固體，氯化氫遇潮形成鹽（yán）酸殘留（liú）在基盤表（biǎo）麵。
3、多晶矽顆粒（lì）物
還原爐停爐過程（chéng）中，因（yīn）停爐溫度控製不均，易造成矽棒破裂，產生多晶矽碎屑；收割矽棒（bàng）過程中（zhōng）也會有部分碎屑遺留；如果（guǒ）遇到倒棒（bàng），碎（suì）屑遺留會更多。
4、其他雜（zá）物
在收割矽棒中，會帶入少量的粉塵、油脂等汙染物。油分子對多晶矽的危害十分嚴重可能造成（chéng）多晶矽反應速度減慢，產量降低，甚至矽反（fǎn）應停止。
二、多晶矽還原爐清洗方法
現今各生產廠家（jiā）在開發新技術、進（jìn）行技術改造的同（tóng）時，通過對（duì）設備的清洗來降低能耗和保證（zhèng）多晶矽的產（chǎn）品質量。還原爐沉積（jī）多晶矽是間歇（xiē）操（cāo）作，一個運行周（zhōu）期結束後需要（yào）打開鍾罩收割矽棒，然後進行基（jī）盤清理，再裝矽芯進行下一個周期的化（huà）學氣相沉積。因此，想提高設備運轉率、降低能耗，選擇方便、快捷、處理效（xiào）果好（hǎo）的（de）清理工藝尤為關鍵。
www.91潔多（duō）晶（jīng）矽還原爐鍾罩清洗係統是（shì）以高壓清洗機為主機，以高壓水射流為動力的自驅（qū）動三維（wéi）旋轉噴頭（tóu）形成360°的網狀高壓水（shuǐ）柱噴射表麵，從而完（wán）成鍾罩內部表（biǎo）麵的水力掃射，並采（cǎi）用專用清洗劑等（děng）為主要清（qīng）洗液，先（xiān）用純水（去離子水或（huò）叫脫鹽水（shuǐ））漂洗，之後再采用高（gāo）純（chún）水衝洗，最終完成清洗過程。
www.91潔（jié）多（duō）晶矽還原爐鍾罩清（qīng）洗係統核（hé）心部（bù）件高壓泵采用進口耐酸堿、耐高溫、全不鏽鋼的加壓泵，並利用多晶矽生產廠家的蒸（zhēng）汽餘熱將清洗介質加熱，從而改變原電加熱工藝（yì）。我公司自行研發設計的自驅動旋轉升降（jiàng）噴射機構可適（shì）應各規格的還（hái）原爐體。
一（yī）、多（duō）晶矽還原爐（lú）內（nèi）主要（yào）汙（wū）染物
根據多晶矽生產原理及實際生產情況分析，還原爐基盤及鍾（zhōng）罩表麵（miàn）主要汙染物為無定形矽粉，其次為多晶矽顆粒物、氯矽烷水解（jiě）物及部分粉塵雜質。
1、無定形（xíng）矽
還原爐在一個周期運行後，基盤（pán）及（jí）鍾罩表麵均會產生一層土（tǔ）黃色粉末（mò），主要成分為無定形（xíng）矽粉（fěn）。基盤冷卻水溫度偏高，在還原（yuán）爐基盤尾氣出（chū）口也會（huì）產生無定形矽。這些無定形（xíng）矽易形成一層膜附在（zài）基盤和鍾罩內表麵（miàn），甚至在（zài）電極和石英環表（biǎo）麵。
2、氯矽烷水解物
多晶矽打開鍾罩前（qián）要進行嚴格（gé）的氮氣置換，但因還原爐結構複雜，在進料口、尾氣（qì）管、窺視鏡等地方易形成置換死角，置換（huàn）後爐內仍會預留部分氯矽烷氣體。當（dāng）爐筒提起（qǐ）後，氯矽（guī）烷殘留氣體與（yǔ）空氣接觸，會在基盤及爐筒表麵形成水解物。這些水（shuǐ）解物一般（bān）附著在進料管口及尾氣管口，其（qí）中矽酸鹽（yán）物質為白色膠狀（zhuàng）沉澱，二氧化矽為（wéi）白色粉末（mò）狀固體，氯化氫遇潮形成鹽（yán）酸殘留（liú）在基盤表（biǎo）麵。
3、多晶矽顆粒（lì）物
還原爐停爐過程（chéng）中，因（yīn）停爐溫度控製不均，易造成矽棒破裂，產生多晶矽碎屑；收割矽棒（bàng）過程中（zhōng）也會有部分碎屑遺留；如果（guǒ）遇到倒棒（bàng），碎（suì）屑遺留會更多。
4、其他雜（zá）物
在收割矽棒中，會帶入少量的粉塵、油脂等汙染物。油分子對多晶矽的危害十分嚴重可能造成（chéng）多晶矽反應速度減慢，產量降低，甚至矽反（fǎn）應停止。
二、多晶矽還原爐清洗方法
現今各生產廠家（jiā）在開發新技術、進（jìn）行技術改造的同（tóng）時，通過對（duì）設備的清洗來降低能耗和保證（zhèng）多晶矽的產（chǎn）品質量。還原爐沉積（jī）多晶矽是間歇（xiē）操（cāo）作，一個運行周（zhōu）期結束後需要（yào）打開鍾罩收割矽棒，然後進行基（jī）盤清理，再裝矽芯進行下一個周期的化（huà）學氣相沉積。因此，想提高設備運轉率、降低能耗，選擇方便、快捷、處理效（xiào）果好（hǎo）的（de）清理工藝尤為關鍵。
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