多晶矽生產設備清洗的意義

多（duō）晶矽按不同的用途可分為太陽能級多晶（jīng）矽和電子級多晶矽兩類。太陽能級多（duō）晶矽的純度（dù）一般在5～7N，主要雜質為Fe、Cr、Ni、Cu、Zn 等，金屬雜質總含（hán）量≤0.2(太陽能三級品（pǐn）要求)。電子級多晶矽一般含Si＞99.9999%以上，超（chāo）高純達到99.9999999%～99.999999999%，即9～11N，其導電性（xìng）為10- 4～1010Ω·cm，碳濃度＜2×1016at·cm- 3。

油脂、水分、氯（lǜ）離子殘留、金屬（shǔ）氧化物、氯化物、灰塵及其他（tā）雜質，對多晶矽的純度影響極大。在（zài）多晶矽設備製造、安裝和多晶（jīng）矽生產過程中清洗（xǐ）是十分重要的部（bù）分，要（yào）按（àn）多晶矽生產工藝（yì），對不同潔淨度要求、不同材質的設備采用不同的清洗方法。'
 
多晶矽設備的清洗（xǐ）的不同階段（duàn）：

1、設備製造階段的清洗

金屬設（shè）備及管（guǎn）道、零件需要在除漆前將表麵的氧化皮和鐵鏽除掉，設備內部（bù）的油脂、軋製鱗片（piàn）、鏽（xiù）皮等也需要進行清洗（xǐ）。

2、多晶矽設備安裝階段的清潔

由於工（gōng）藝管（guǎn）道（dào）輸送的介質特性及產品純度要求，對管道的焊接質量及內部清（qīng）潔、吹掃試（shì）壓均有較高要求，對設（shè）備進場（chǎng）驗收（shōu）、檢驗（yàn）及安裝、內部（bù）處（chù）理也有較高要求，因此設備製（zhì）造結束後的清洗處（chù）理（lǐ）至關重要。在裝置進行試生產前期，係統注入四氯化矽進（jìn）行循環清洗約2～3個月，時間的長（zhǎng）短取決於設（shè）備前期清洗（xǐ）情況。

3、多晶（jīng）矽設備生產期間的清（qīng）洗

還原爐和氫化爐是改（gǎi）良西門子法生產多晶矽的核心設備，其運行（háng）好壞直接影響多晶矽質量及生產成本。多晶矽（guī）生產對還（hái）原爐的沉積環境的潔淨度（dù）要求特別關鍵，任何顆（kē）粒（lì）性雜質、油（yóu）脂等物質餘留在爐內，都會對產品質量造成影響（xiǎng）。北京www.91潔（jié）清潔設備有限公司經過研發設計並製造出了多晶（jīng）矽自動化還原爐鍾罩清洗係（xì）統，可以完全將多晶矽（guī）還原爐鍾罩清洗幹（gàn）淨，滿足生產需（xū）求。

德（dé）高潔電子級多晶矽還原爐鍾罩清洗（xǐ）係統包括低壓熱水（shuǐ）清（qīng）洗動力裝置、三維洗罐器（qì）、旋轉和升降執行機構、清洗工作台、萬級淨化幹燥（zào）係統、循環過濾係統（tǒng）、控製（zhì）裝置、微負壓（yā）係統、清洗工作台、電（diàn）氣控製係統等，係統實現了（le）鍾罩的全自動清洗和烘幹操作。
 
電子級（jí）多晶矽還原爐鍾罩自動清洗係統（tǒng）特點：以水力自驅動三維洗（xǐ）罐器為（wéi）噴頭（tóu），形成360° 3D形式的網狀噴射來完成爐筒內部表麵（miàn）的水力掃（sǎo）射。配以旋轉和升降的清洗吹幹執行機構，準確定位。操作簡單方便，係統控製，清洗、吹幹自行調整。不僅可以滿足對（duì）內壁和視孔鏡的清洗，同時也滿足了底（dǐ）部法蘭的清洗。

在整個還原爐的清洗過程中，清洗（xǐ）、幹燥中筒內形成微負壓狀態，防止（zhǐ）清（qīng）洗外溢，同時將底座與筒體下法（fǎ）蘭（lán）處的汙染物等（děng）一（yī）並（bìng）吹掃，通過排汙管排出，從而保證了整個過程不會（huì）對潔淨區造成汙染。

生產多晶矽的工藝複雜，設備清洗是可以降低能耗保證多晶矽產（chǎn）品質量的。多晶矽生產企業對設備須從選型、選材、清洗等方麵進行合理、科（kē）學的（de）管（guǎn）理，應用現代技術，進行全程清洗，以充分發揮（huī）設備功（gōng）效（xiào），為安全、高效生產創造條件。