多晶矽生產（chǎn）設備清洗的（de）意義

多晶矽按不同（tóng）的用途可分為太陽能級多晶矽和電子級多晶矽兩類。太陽能級多晶矽的純度一般在5～7N，主要雜質為Fe、Cr、Ni、Cu、Zn 等，金屬雜質總含量≤0.2(太陽能三級品要求)。電子級多晶（jīng）矽一般含Si＞99.9999%以上，超高純達到99.9999999%～99.999999999%，即9～11N，其導電性為（wéi）10- 4～1010Ω·cm，碳濃度＜2×1016at·cm- 3。

油脂、水分、氯離子殘留、金屬氧化（huà）物、氯化物、灰塵及其他雜質，對多晶矽的純度影響極大。在（zài）多晶矽設備製造（zào）、安裝和（hé）多晶矽生產過程中清洗是十分重要的部分，要按多晶（jīng）矽生產（chǎn）工藝，對不同潔淨度要（yào）求（qiú）、不同材質的設備采用（yòng）不同的清洗方法。'
 
多晶矽設備的清洗的不同階段：

1、設（shè）備製造階段的清洗

金（jīn）屬設備及管道、零件需要在除漆前將表麵的氧化皮和（hé）鐵鏽除掉，設（shè）備內（nèi）部的油脂（zhī）、軋製鱗片、鏽皮（pí）等也需要進行（háng）清洗。

2、多晶矽設備安裝階段的清潔

由於工（gōng）藝管道輸送的（de）介質（zhì）特性（xìng）及產品純度要求，對管道（dào）的焊接質量及內部清潔、吹掃試壓均有較高要求，對設備進（jìn）場驗收、檢驗及安裝、內部處理也有較高要求（qiú），因此（cǐ）設備製造結束（shù）後的清洗處理至關重要。在裝置進行試生產前期，係統注（zhù）入四氯化矽進行（háng）循環清（qīng）洗約2～3個月，時間的長短（duǎn）取決於設備前期清洗情況。

3、多晶矽設備生產期間的清洗

還原爐和氫化（huà）爐是改良（liáng）西門子法生產多晶矽的核心設（shè）備，其運行好壞直接影響多晶（jīng）矽質量及生產成本。多晶矽生產對還原爐的沉（chén）積環境的潔淨度要求特別關鍵，任何顆粒性雜（zá）質、油脂等物質（zhì）餘（yú）留在爐內，都會對產品質量造成影響。北京www.91潔清潔設備（bèi）有限公司經過研發設計並（bìng）製造出了多晶矽自動化還原爐鍾罩清洗係統，可以完全將多晶矽還原爐（lú）鍾罩清洗幹淨，滿足生產需求。

www.91潔電子級多（duō）晶矽還原爐鍾罩清洗係統包括低壓熱水清洗（xǐ）動力裝置、三維洗罐器、旋轉和（hé）升降執行機構（gòu）、清洗工作（zuò）台、萬級淨化幹燥係統（tǒng）、循環（huán）過濾係統（tǒng）、控製裝置、微負壓係統、清洗工作（zuò）台、電氣控製係統（tǒng）等，係統實現（xiàn）了鍾罩的全自動（dòng）清洗和烘幹操作。
 
電（diàn）子級多晶矽還原爐鍾罩自動（dòng）清洗（xǐ）係統特點：以水（shuǐ）力自驅動三維洗罐器為噴頭，形成360° 3D形式的網狀噴射來完成爐筒內部表麵的水力掃射。配以旋轉和升降的清洗吹幹執行機構，準確（què）定位。操作簡單方（fāng）便，係統控製，清洗、吹幹自行調整。不僅可（kě）以滿足（zú）對內壁和視孔（kǒng）鏡的清（qīng）洗，同時也滿足（zú）了底部法蘭的清洗。

在整個還原爐的清洗過程（chéng）中，清洗、幹燥（zào）中筒內（nèi）形成微負壓狀態，防止清洗外溢，同時將底座與筒體下法蘭處的汙染物等一並吹掃，通過排汙管排出，從而保（bǎo）證了整個過程不會對潔淨區造成汙染（rǎn）。

生產多晶矽的（de）工藝（yì）複雜，設備清洗是可以降（jiàng）低能耗保證多（duō）晶矽（guī）產品質量的。多晶矽生產企業對設備須從選型、選材（cái）、清洗等方麵進（jìn）行合理、科學的管理，應用現代技術，進行全程清洗，以充分（fèn）發揮設備功效，為安全、高效生產創造條件。